“本批訂單共計(jì)96臺(tái)套，將分多批次發(fā)貨?！毙履暌潦?，一批第三代半導(dǎo)體碳化硅外延裝備從長(zhǎng)沙發(fā)往用戶現(xiàn)場(chǎng)，勾勒出中國(guó)電科第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展欣欣向榮的圖景。

碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備是碳化硅器件制造專用設(shè)備中最重要的一類。通過(guò)不懈鉆研，電科裝備48所還推出碳化硅用立式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備，成功攻克高潔凈度環(huán)境獲得、高穩(wěn)定壓力控制、高精度溫度控制等技術(shù)難題。

千里之外的山西，中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地生產(chǎn)車間緊張忙碌，一排排3米高碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備表面平靜，里面2000℃以上的高溫中，正進(jìn)行著驚人的化學(xué)反應(yīng)——一個(gè)個(gè)碳化硅晶錠正在快速生長(zhǎng)。

“碳化硅單晶制備是全球性難題，而高穩(wěn)定的晶體生長(zhǎng)工藝則是其中最核心的一環(huán)?！彪娍撇牧霞夹g(shù)專家表示，深耕碳化硅材料和大尺寸單晶“賽道”，團(tuán)隊(duì)著力突破6英寸、8英寸碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)難題，順利突破6英寸N型碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)6英寸產(chǎn)品規(guī)?；a(chǎn)，產(chǎn)品良率等各項(xiàng)指標(biāo)得到有效改善，產(chǎn)量產(chǎn)能再創(chuàng)新高，突破大尺寸單晶制備等關(guān)鍵難題，順利研制出8英寸碳化硅襯底，并實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

在不斷刷新材料、裝備研制高度的同時(shí)，中國(guó)電科持續(xù)拓寬器件應(yīng)用廣度。

“這是一個(gè)1200伏、100安的碳化硅半導(dǎo)體器件，電能的處理和控制，靠的就是這個(gè)?！笔殖中⌒〉钠骷?，技術(shù)專家介紹道。隨著新能源汽車市場(chǎng)快速發(fā)展，碳化硅材料研制的器件、模塊在高功率、高頻、高壓、高溫場(chǎng)景下的優(yōu)勢(shì)愈發(fā)明顯。相同規(guī)格下碳化硅MOSFET的尺寸只有硅基產(chǎn)品的1/10。與硅基IGBT相比，使用碳化硅MOSFET器件，系統(tǒng)能量損耗可以降低70%。

瞄準(zhǔn)新能源車、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電、軌道交通等產(chǎn)業(yè)需求，國(guó)基南方攻克高效、高頻、高功率寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的電力電子器件重大關(guān)鍵技術(shù)難題，在碳化硅電力電子器件等領(lǐng)域取得系列重要?jiǎng)?chuàng)新成果。特別是碳化硅MOSFET對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)，突破多項(xiàng)關(guān)鍵工藝，推動(dòng)建立材料外延、器件設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封裝的產(chǎn)業(yè)鏈布局，在國(guó)內(nèi)率先建立了6英寸碳化硅器件工藝平臺(tái)，率先實(shí)現(xiàn)多型號(hào)多尺寸的產(chǎn)品量產(chǎn)和應(yīng)用，滿足百萬(wàn)輛車載充電裝置應(yīng)用需求，有力保障汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全。

潛心深耕第三代半導(dǎo)體“賽道”，中國(guó)電科科研人員以實(shí)際行動(dòng)踐行黨的二十大精神，立足國(guó)家所需、行業(yè)所趨、電科所能，持續(xù)加強(qiáng)共性基礎(chǔ)技術(shù)研究攻關(guān)，努力為國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展作出新的更大貢獻(xiàn)。