文丨中信證券 李超 陳旺

SiC器件性能優(yōu)勢顯著，下游應用環(huán)節(jié)廣闊，在高功率應用上替代硅基產(chǎn)品具有強確定性，預計未來幾年行業(yè)將保持高增速。當前時間點，國內(nèi)龍頭企業(yè)不斷擴張產(chǎn)能，搶占市場份額，有望打破海外壟斷，投資價值凸現(xiàn)。建議關注襯底、外延環(huán)節(jié)具有技術優(yōu)勢且持續(xù)獲得下游訂單的龍頭企業(yè)。

▍第三代半導體適用于高壓、高頻、高溫、高功率領域。

第三代半導體材料具有更寬的禁帶、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，在高壓、高頻、高溫、高功率等領域具有更強的適用性。2021年GaN全球滲透率約0.2％，SiC滲透率近2％。SiC商用更加成熟，在高功率應用中優(yōu)勢地位凸顯，在光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車及充電樁等領域均具有廣泛應用。

▍SiC產(chǎn)業(yè)鏈材料環(huán)節(jié)至關重要，襯底技術密集，外延承上啟下。

SiC產(chǎn)業(yè)鏈包含單晶生長、襯底制備、外延生長、芯片制造、器件制造、模塊封裝和終端應用等環(huán)節(jié)。在材料端，襯底制備難度大，需解決生產(chǎn)速率慢、缺陷控制不易、產(chǎn)品良率低等問題，是產(chǎn)業(yè)鏈中技術密集型和資金密集型的環(huán)節(jié)；外延生長是承上啟下的關鍵一環(huán)，外延可以大幅優(yōu)化襯底形貌，有效減弱晶體生長與加工中引入的缺陷所造成的不利影響，進而顯著提升SiC器件的性能與可靠性。

▍海外占據(jù)SiC市場主流，國內(nèi)龍頭快速追趕。

當前美歐日占據(jù)全球SiC產(chǎn)業(yè)主要市場，其中美國一家便占有全球70％-80％的SiC產(chǎn)量，但行業(yè)尚處于發(fā)展早期，國內(nèi)企業(yè)有望在快速成長中做大做強，挑戰(zhàn)海外巨頭壟斷地位。襯底方面，2021年半絕緣型SiC廠商天岳先進市占率30％，2018年導電型SiC廠商天科合達市占率1.7％，兩家擴產(chǎn)規(guī)劃持續(xù)推進。外延方面，國內(nèi)龍頭公司東莞天域、瀚天天成近年亦在快速擴張產(chǎn)能，有望大幅提升市占率。

▍多領域驅動SiC需求，同質外延片2025年國內(nèi)市場規(guī)模有望超百億。

我們測算：

1）新能源車方面，電機驅動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)、電源轉換系統(tǒng)構成SiC最大市場，我們預計2025年SiC需求118萬片（對應6英寸，下同）；

2）充電樁方面，高壓充電樁解決充電速度+里程焦慮問題，我們預計2025年SiC需求33萬片；

3）光伏方面，SiC大幅改善光伏逆變器性能，我們預計2025年SiC需求16萬片。

綜上，預計2025年中國導電型碳化硅需求量將達202萬片，對應未來三年CAGR為65.53％，對應導電型SiC襯底市場需求約100億元，對應SiC同質外延片市場需求約191億元。

▍風險因素：

下游需求放量不及預期；技術滲透率提升速度不及預期；產(chǎn)能擴張速度不及預期；其他技術創(chuàng)新對SiC的影響。

▍投資策略：

SiC器件性能優(yōu)勢顯著，下游應用環(huán)節(jié)廣闊，在高功率應用上替代硅基產(chǎn)品具有強確定性，預計未來幾年行業(yè)將保持高增速。在當前時間點，國內(nèi)龍頭企業(yè)不斷擴張產(chǎn)能，搶占市場份額，有望打破海外壟斷，投資價值凸現(xiàn)。建議關注襯底環(huán)節(jié)具有技術優(yōu)勢且持續(xù)獲得下游訂單的企業(yè)，以及在外延環(huán)節(jié)持續(xù)擴張產(chǎn)能的龍頭公司。

本文源自券商研報精選|研報精選