中國航展上，第三代半導體是中國電科展示的重點內容，從材料、裝備、芯片、器件到應用的體系化布局，展現(xiàn)了中國電科不斷增強產業(yè)鏈韌性和競爭力。

不斷突破，發(fā)展“有料”

電科展臺上，可以看到碳化硅、砷化鎵徹底材料，碳化硅晶片……

目前，碳化硅作為全球最先進的第三代半導體材料，已成為全球半導體產業(yè)的爭奪前沿和戰(zhàn)略制高點。中國電科以發(fā)展碳化硅技術為推進第三代半導體的抓手之一，打造國家電子信息材料原創(chuàng)技術策源地，建設了國內最大的碳化硅材料產業(yè)基地。目前，中國電科碳化硅襯底技術水平和產能達到國內領先水平，產品市場占有率顯著提升，硅外延材料市場占有率穩(wěn)居國內榜首。

同時，中國電科攻關形成第三代半導體核心裝備研發(fā)、產業(yè)化和整線解決方案，基于自主研發(fā)的全自動碳化硅單晶生長設備，實現(xiàn)了高質量碳化硅單晶生產。目前，掌握了碳化硅生長裝備制造，高純碳化硅粉料制備工藝，N型碳化硅單晶襯底和高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產線。

規(guī)模應用，產業(yè)“強芯”

展臺上，中國電科通過微波功率模塊、微波組件等固態(tài)微波器件，展示了第三代半導體功率器件在雷達探測及通信領域的國際先進總體水平。

多年來，中國電科瞄準“強芯健體”持續(xù)發(fā)力，碩果頻結。

產品發(fā)展，標準先行。中國電科牽頭制定多項行業(yè)標準，統(tǒng)一氮化鎵和碳化硅等第三代半導體材料產品研制及評價體系，提升氮化鎵和碳化硅外延片產品自主保障能力。

6英寸碳化硅工藝線持續(xù)穩(wěn)定運行，滿足碳化硅二極管、MOSFET訂單數(shù)量和客戶數(shù)量快速增長需要。碳化硅MOSFET在新能源汽車、新能源發(fā)電、服務器電源、電網輸變電等領域實現(xiàn)規(guī)模應用，數(shù)千萬只產品有力保障了產業(yè)發(fā)展。碳化硅MOSFET入選國資委2021年十大國有企業(yè)數(shù)字技術成果。

中國電科還構建了成套標準三代半導體氮化鎵工藝技術體系，成功研發(fā)5G毫米波氮化鎵器件系列產品，性能及可靠性達到國際先進水平，氮化鎵射頻芯片等產品市場占有率顯著提升，首次實現(xiàn)國產氮化鎵功率器件在星載相控陣大批量應用。氮化鎵微波功率器件等產品入選國家“十三五”科技創(chuàng)新成就展。