在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)方面，設(shè)備環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)替代邏輯不斷強(qiáng)化，近期訂單量&中標(biāo)量樂(lè)觀。且代工環(huán)節(jié)受益 AI 發(fā)展， 稼動(dòng)率結(jié)構(gòu)性提高，隨著傳統(tǒng)旺季到來(lái)，供需結(jié)構(gòu)有望持續(xù)調(diào)整。

天風(fēng)證券研報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2023 年 6 月可統(tǒng)計(jì)中標(biāo)設(shè)備 數(shù)量共計(jì) 21 臺(tái)，同比+65.63%，其中薄膜沉積設(shè)備 3 臺(tái)，輔助設(shè)備 12 臺(tái)，檢測(cè)設(shè)備 4 臺(tái)，刻蝕設(shè)備 1 臺(tái)，真空設(shè) 備 1 臺(tái)。6 月國(guó)內(nèi)廠商北方華創(chuàng)、正帆科技、上海精測(cè)、武漢精測(cè)、上海微電子均有設(shè)備中標(biāo)。2023 年 6 月可統(tǒng) 計(jì)招標(biāo)設(shè)備數(shù)量共 33 臺(tái)，其中清洗設(shè)備 5 臺(tái)，刻蝕設(shè)備 7 臺(tái)，輔助設(shè)備 1 臺(tái)，熱處理設(shè)備 12 臺(tái)。#半導(dǎo)體##半導(dǎo)體芯片##光刻機(jī)#

半導(dǎo)體專用設(shè)備市場(chǎng)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣狀況緊密相關(guān)，當(dāng)前受需求疲軟與高庫(kù)存影響，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)低迷。

長(zhǎng)期來(lái)看，半導(dǎo)體設(shè)備作為支撐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中市場(chǎng)規(guī)模最廣闊，戰(zhàn)略價(jià)值最重要的一環(huán)，有望長(zhǎng)期向好。

據(jù)SEMI報(bào)告，2022年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售金額達(dá)1076億美元，同比增長(zhǎng)5%，再創(chuàng)歷史新高，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額283億美元，仍是全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。

SEMI預(yù)計(jì)隨著庫(kù)存修正的結(jié)束，預(yù)計(jì)2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備將復(fù)蘇回升形成共振，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1071.6億美元，有望同比增長(zhǎng)18%。

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半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)概覽

半導(dǎo)體設(shè)備通?？煞譃榍暗拦に囋O(shè)備（芯片制造）和后道工藝設(shè)備（芯片封裝測(cè)試）兩大類。

其中，前道芯片制造主要包括六大工藝步驟，分別為：熱處理（Thermal Process）、光刻（Photo-lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜沉積（Deposition）、機(jī)械拋光（CMP）。

在晶圓制造中，可分為7大工藝，分別為氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、清洗和金屬化，所對(duì)應(yīng)的專用設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。

伴隨國(guó)內(nèi)產(chǎn)能擴(kuò)張持續(xù)，預(yù)計(jì)2025年國(guó)內(nèi)設(shè)備市場(chǎng)有望達(dá)到全球30%。前道（晶圓制造）設(shè)備占比最大，占81%。其中光刻、刻蝕、沉積是設(shè)備三大件，市場(chǎng)占比合計(jì)超過(guò)60%。

光刻機(jī)

光刻的作用是將電路圖形信息從掩膜版上保真?zhèn)鬏?、轉(zhuǎn)印到半導(dǎo)體材料襯底上。光刻基本原理是利用涂敷在襯底表面的光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)作用，記錄掩膜版上的電路圖形，從而將集成電路圖形轉(zhuǎn)印到襯底上。

光刻機(jī)涉及的內(nèi)部零件種類眾多，且越高端的光刻機(jī)組成越復(fù)雜，如EUV內(nèi)部零件多達(dá)8萬(wàn)件以上，光刻機(jī)的核心零部件包括工作臺(tái)、投影物鏡、光源等。

光刻機(jī)示意圖：

資料來(lái)源：asml

光刻機(jī)行業(yè)屬于明顯的寡頭壟斷格局，前三供應(yīng)商（荷蘭阿斯麥、日本佳能、日本尼康）占據(jù)絕大多數(shù)市場(chǎng)份額。

2018-2022年，三大供應(yīng)商的光刻機(jī)營(yíng)收合計(jì)由123億美元增長(zhǎng)至198億美元，對(duì)應(yīng)CAGR為13%，占晶圓生產(chǎn)設(shè)備總市場(chǎng)的21%。

阿斯麥在市占率上具備明顯優(yōu)勢(shì)，2022年按出貨量（345臺(tái)）市占率為63%，按營(yíng)收看市占率為81%，兩類市占率之間差異較大，主要由于EUV單價(jià)明顯高于其它光刻機(jī)。

當(dāng)前以晶圓級(jí)封裝（WLP）、3D封裝、倒裝芯片（FC）結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等封裝技術(shù)為代表的先進(jìn)封裝技術(shù)得到了快速發(fā)展。作為先進(jìn)封裝的關(guān)鍵工藝設(shè)備，光刻機(jī)的需求日益增長(zhǎng)。

根據(jù)阿斯麥在投資者日公布的信息，近年來(lái)光刻機(jī)市場(chǎng)在半導(dǎo)體總市場(chǎng)中的占比持續(xù)提升，且未來(lái)該趨勢(shì)有望得以延續(xù)，主要考慮到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年來(lái)快速發(fā)展帶來(lái)Capex提升，而Capex中設(shè)備支出占比提升有望為光刻機(jī)帶來(lái)持續(xù)增量。

光刻機(jī)是制約國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造最核心環(huán)節(jié)，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫。

國(guó)內(nèi)上海微電子主攻DUV、i-line等。

福晶科技KBBF晶體屬于激光設(shè)備的上游關(guān)鍵零部件，KBBF晶體是目前可直接倍頻產(chǎn)生EUV激光的非線性光學(xué)晶體。

照明系統(tǒng)環(huán)中炬光科技子公司Limo供應(yīng)ASML和上海微電子。

曝光系統(tǒng)物鏡環(huán)節(jié)茂萊光學(xué)為上海微電子后道光刻機(jī)提供光學(xué)鏡頭（部分）；永新光學(xué)主攻后道光刻機(jī)物鏡，主要用于pcb；Micro OLED掩模版代表廠商有清溢光電、路維光電250nm制程半導(dǎo)體掩模版量產(chǎn)。

刻蝕設(shè)備

隨著工藝制程升級(jí)，刻蝕機(jī)用量也將持續(xù)攀升。14nm制程所需刻蝕步驟為65次，7nm制程所需刻蝕步驟高達(dá)140次，5nm制程所需刻蝕步驟進(jìn)一步提升至160次。

根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，22年刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為1550億元，其中CCP和ICP刻蝕機(jī)占比分比為47.5%和47.9%。

全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)長(zhǎng)期一直被泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料三大巨頭占據(jù)，行業(yè)集中度高。

細(xì)分介質(zhì)刻蝕機(jī)市場(chǎng)中，東京電子處于領(lǐng)先地位，市占率達(dá)到52%。

在本土企業(yè)中，中微公司、北方華創(chuàng)率先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，已全面覆蓋ICP和CCP，整體呈現(xiàn)錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)，部分技術(shù)水平和應(yīng)用領(lǐng)域已達(dá)國(guó)際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

隨著先進(jìn)制程發(fā)展與存儲(chǔ)三維趨勢(shì)，刻蝕設(shè)備用量增加，國(guó)產(chǎn)替代有望加速。

刻蝕設(shè)備核心零部件組成：

薄膜沉積設(shè)備

薄膜沉積設(shè)備種類繁多，細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域各異。在不同制程和功能需求的驅(qū)動(dòng)下，各大類沉積方法逐漸衍生出了多種技術(shù)。如化學(xué)氣相沉積（CVD）中，有針對(duì)更細(xì)致制程劃分的APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD、FCVD等；物理氣相沉積（PVD）則包括濺射PVD和蒸鍍PVD。

市場(chǎng)格局方面來(lái)看，薄膜沉積設(shè)備主要被日本、美國(guó)和歐洲的廠商主導(dǎo)。據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，PVD設(shè)備方面，應(yīng)用材料具有絕對(duì)份額優(yōu)勢(shì)，占據(jù)85%的市場(chǎng)份額；應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體和東京電子是CVD設(shè)備市場(chǎng)中的佼佼者，分別占比30%、21%和19%；ALD設(shè)備中，東京電子和ASMI是行業(yè)龍頭，分別占有31%和29%的市場(chǎng)份額。

在先進(jìn)薄膜沉積技術(shù)被海外廠商掌控的情況下，中國(guó)相關(guān)企業(yè)正在緊鑼密鼓的布局薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)工作。國(guó)內(nèi)廠商中，北方華創(chuàng)和拓荊科技的薄膜沉積設(shè)備研發(fā)進(jìn)展較為領(lǐng)先，中微公司在深耕用于LED制造的MOCVD的同時(shí)加碼鎢填充CVD設(shè)備。北方華創(chuàng)的CVD、PVD等相關(guān)設(shè)備已具備28nm工藝水平。

清洗設(shè)備

相較其他環(huán)節(jié)，清洗設(shè)備較易率先實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)化，2030年國(guó)產(chǎn)化率目標(biāo)將達(dá)40%~45%。

在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等，其中單片清洗設(shè)備市場(chǎng)份額占比最高。濕法清洗工藝路線下主流的清洗設(shè)備存在先進(jìn)程度的區(qū)分，主要體現(xiàn)在可清洗顆粒大小，金屬污染，腐蝕均一性以及干燥技術(shù)等標(biāo)準(zhǔn)。

清洗步驟占芯片制造總工序30%以上，但價(jià)值量占比僅為5%。此外，半導(dǎo)體清洗設(shè)備多技術(shù)路徑并存，優(yōu)勢(shì)各異，使得本土企業(yè)可以通過(guò)差異化研發(fā)方式進(jìn)行技術(shù)追趕，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)海外企業(yè)的彎道超車。

長(zhǎng)期以來(lái)，海外巨頭壟斷著清洗設(shè)備領(lǐng)域，迪恩士（SCREEN）、TEL、LAM與細(xì)美事（SEMES，三星子公司）四家公司市占率合計(jì)高達(dá)90%以上，其中迪恩士（SCREEN）一家市占率就高達(dá)50%以上，寡頭壟斷格局十分明顯（引自華紫研究公眾號(hào)）。

國(guó)產(chǎn)清洗設(shè)備公司主要有盛美上海、北方華創(chuàng)、至純科技和芯源微。盛美憑借獨(dú)創(chuàng)兆聲波清洗技術(shù)市占率最高，2021年全球市占率3.1%。

整體來(lái)看，半導(dǎo)體設(shè)備在國(guó)產(chǎn)化的趨勢(shì)下需求在增長(zhǎng)，頭部企業(yè)提供半導(dǎo)體前道制作的核心產(chǎn)品，有望將重點(diǎn)受益。另一方面，半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備對(duì)應(yīng)著3D存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體等增長(zhǎng)更快的領(lǐng)域，市場(chǎng)需求端傳導(dǎo)的增量也是未來(lái)增長(zhǎng)的強(qiáng)大助力，對(duì)應(yīng)市場(chǎng)空間依然十分充足，有望保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

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