行業(yè)風(fēng)向標(biāo) | 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)拐點(diǎn)將至
作者:每日經(jīng)濟(jì)新聞 來(lái)源: 頭條號(hào)
79312/24


每經(jīng)記者:劉明濤 每經(jīng)編輯:葉峰在海外對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展日益嚴(yán)格的限制下,舉國(guó)體制強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量,有望為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能,半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代有望在國(guó)家的大力支持下快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體材料為氮化鎵GaN、碳化硅SiC

每經(jīng)記者:劉明濤 每經(jīng)編輯:葉峰在海外對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展日益嚴(yán)格的限制下,舉國(guó)體制強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量,有望為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能,半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代有望在國(guó)家的大力支持下快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體材料為氮化鎵GaN、碳化硅SiC、氧化鋅ZnO、金剛石C等,其中碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主要代表。在禁帶寬度、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率及最高工作溫度等方面碳化硅SiC、氮化鎵GaN性能更為出色,在5G通信、新能源汽車、光伏等領(lǐng)域頭部企業(yè)逐步使用第三代半導(dǎo)體,待成本下降有望實(shí)現(xiàn)全面替代。與硅基MOSFET、IGBT相比,SiCMOSFET在開關(guān)效率、損耗、尺寸、頻率、體積等指標(biāo)上都更具有優(yōu)勢(shì)。相同規(guī)格SiCMOSFET和Si MOSFET相比,體積甚至能夠縮小1/10,導(dǎo)通電阻縮至1/200,相同規(guī)格SiC-MOSFET和Si-IGBT相比,能量損失小于1/4。在SiC產(chǎn)品性能占據(jù)全面優(yōu)勢(shì)的背景下,以國(guó)內(nèi)外傳統(tǒng)功率大廠為主的各家企業(yè)均開始加速布局SiC產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)將迎來(lái)群雄并起的市場(chǎng)格局。目前,雖然國(guó)外企業(yè)在技術(shù)、產(chǎn)能等方面具有先發(fā)優(yōu)勢(shì),但SiC行業(yè)發(fā)展歷史相對(duì)較短,國(guó)內(nèi)外差距相對(duì)較小,在需求高漲的背景下,國(guó)內(nèi)企業(yè)有望加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。華安證券指出,海外龍頭企業(yè)具備先發(fā)優(yōu)勢(shì),在產(chǎn)品及產(chǎn)能方面短期領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)。但整體來(lái)看,SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史相對(duì)較短,國(guó)內(nèi)企業(yè)有望實(shí)現(xiàn)彎道超車。這里,通過(guò)整合天風(fēng)、安信、國(guó)信等10余家券商最新研報(bào)信息,為粉絲朋友帶來(lái)4家公司簡(jiǎn)介,僅供參考。
1、清溢光電公司從事于掩膜版的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售業(yè)務(wù),是中國(guó)大陸成立最早、規(guī)模最大的掩膜版廠商之一。公司通過(guò)提升半導(dǎo)體芯片掩膜版的產(chǎn)能以及縮短交付周期,優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu),提高細(xì)分市場(chǎng)的市占率。與此同時(shí),國(guó)內(nèi)一家半導(dǎo)體芯片掩膜版保護(hù)膜的主要供應(yīng)商受疫情影響停產(chǎn),給國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈帶來(lái)負(fù)面影響。半導(dǎo)體芯片掩膜版業(yè)務(wù)的增速暫受產(chǎn)能的限制,預(yù)計(jì)以上短期負(fù)面因素緩解之后,公司產(chǎn)能將大幅增長(zhǎng),有望快速提高細(xì)分市場(chǎng)占有率。--安信證券2、路維光電公司是國(guó)內(nèi)唯一一家可覆蓋G2.5-G11全世代產(chǎn)線的廠商。根據(jù)公司招股書,目前我國(guó)90nm及以下制程的IC掩膜版依賴進(jìn)口,而國(guó)內(nèi)已投產(chǎn)以及在建的90nm及以下的晶圓產(chǎn)線達(dá)到30條,國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。公司已實(shí)現(xiàn)250nm IC掩膜版量產(chǎn),滿足先進(jìn)IC封裝、IC器件、先進(jìn)指紋模組封裝、高精度藍(lán)寶石襯底(PSS)等產(chǎn)品應(yīng)用。公司已掌握180nm/150nm IC掩膜版制造核心技術(shù),現(xiàn)有的IC掩膜版制造技術(shù)覆蓋第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品。--安信證券3、鋮昌科技公司是國(guó)內(nèi)從事相控陣T/R芯片研制的主要企業(yè),是國(guó)內(nèi)少數(shù)能夠提供相控陣T/R芯片完整解決方案的企業(yè)之一。隨著衛(wèi)星物聯(lián)網(wǎng)的建設(shè)推進(jìn),公司星載相控陣T/R芯片有望持續(xù)快速增長(zhǎng)。公司的T/R芯片還是相控陣?yán)走_(dá)的核心元器件之一,相控陣?yán)走_(dá)正逐步對(duì)傳統(tǒng)機(jī)械掃描雷達(dá)進(jìn)行替代,市場(chǎng)空間不斷增大,公司雷達(dá)用相控陣T/R芯片有著較大的增長(zhǎng)空間。--首創(chuàng)證券4、至純科技公司在半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)領(lǐng)域不斷拓展,從高純工藝系統(tǒng)到濕法工藝設(shè)備。2021年以來(lái)合肥晶圓再生項(xiàng)目已正式量產(chǎn)爬坡,合肥布局晶圓再生及部件清洗項(xiàng)目是國(guó)內(nèi)首條投產(chǎn)的12英寸晶圓再生產(chǎn)線,部件清洗項(xiàng)目為國(guó)內(nèi)首條設(shè)立完整的陽(yáng)極產(chǎn)線,年產(chǎn)168萬(wàn)片晶圓再生和120萬(wàn)件半導(dǎo)體零部件再生產(chǎn)能。公司已形成圍繞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的設(shè)備、材料、工藝三位一體的戰(zhàn)略布局。--申萬(wàn)宏源每日經(jīng)濟(jì)新聞
免責(zé)聲明:本網(wǎng)轉(zhuǎn)載合作媒體、機(jī)構(gòu)或其他網(wǎng)站的公開信息,并不意味著贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,信息僅供參考,不作為交易和服務(wù)的根據(jù)。轉(zhuǎn)載文章版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)或其它問(wèn)題請(qǐng)及時(shí)告之,本網(wǎng)將及時(shí)修改或刪除。凡以任何方式登錄本網(wǎng)站或直接、間接使用本網(wǎng)站資料者,視為自愿接受本網(wǎng)站聲明的約束。聯(lián)系電話 010-57193596,謝謝。