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電子化學(xué)品作為電子材料與精細(xì)化工相結(jié)合的高新技術(shù)產(chǎn)品，具有高級、精密、尖端等特點。隨著時代發(fā)展和科技進(jìn)步，電子化學(xué)品應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴大，呈現(xiàn)出巨大的市場潛力和廣闊的發(fā)展前景。半導(dǎo)體從硅單晶生產(chǎn)，到切片、摻雜、濺射、拋光、極紫外曝光、清洗、封裝，以及運行時的熱控等制造全過程，幾乎都涉及電子化學(xué)品。就品類而言，半導(dǎo)體涉及的化學(xué)品主要有5大類：光刻膠、電子氣體、濕化學(xué)品、拋光液/拋光墊和金屬靶材，絕大部分市場份額為美日企業(yè)所壟斷。國內(nèi)新材料企業(yè)結(jié)合各自優(yōu)勢以重點單品為主攻，行業(yè)內(nèi)錯位競爭，呈現(xiàn)出百花齊放的局面。
光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是微電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工核心上游材料，電子化學(xué)品的高端材料之一。光刻膠品種多樣分為紫外全譜（300~450nm、g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）、電子束，在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用很廣。光刻膠存在極高的技術(shù)壁壘和市場壁壘，國產(chǎn)化率極低。半導(dǎo)體領(lǐng)域整體國產(chǎn)化率約為10%，其中，g線、i線、KrF光刻膠約10%，ArF光刻膠全部進(jìn)口。平板顯示領(lǐng)域整體國產(chǎn)化率約10%，其中，觸摸屏光刻膠約35%，彩色和黑色光刻膠、TFT光刻膠幾乎全部進(jìn)口。
目前低端PCB光刻膠國產(chǎn)替代最快，高端半導(dǎo)體光刻膠處于方興未艾的階段，上海新陽KrF厚膜、ArF干法光刻膠研發(fā)到達(dá)中試階段，晶瑞股份完成KrF（248nm深紫外）光刻膠中試，南大光電研制的ArF(193nm)光刻膠樣品處于客戶測試階段。
電子氣體作為集成電路、平面顯示器件、化合物半導(dǎo)體器件、太陽能電池、光纖等電子工業(yè)生產(chǎn)中不可缺少的基礎(chǔ)和支撐性材料之一，被廣泛應(yīng)用于薄膜、蝕刻、摻雜、氣相沉積、擴散等工藝。隨著集成電路制造技術(shù)的快速發(fā)展，芯片尺寸不斷增大，工藝不斷提高，特征尺寸線寬不斷減小，要求IC制程用的各種電子氣體純度、特定技術(shù)指標(biāo)不斷提高，對關(guān)鍵雜質(zhì)的要求更為苛刻。
2020年，中國電子氣體市場規(guī)模約為176.6億元，進(jìn)口替代趨勢明顯，逐步向高端演進(jìn)，預(yù)計未來3年增速超過14%。電子氣體以純度為核心指標(biāo)，國內(nèi)企業(yè)普遍做到5-6N，林德和法液空等海外領(lǐng)先企業(yè)技術(shù)可達(dá)6-9N。國內(nèi)以華特氣體、金宏氣體和七一八所（非上市）為首，華特已具備清洗氣、刻蝕氣和摻雜氣等技術(shù)，目前仍在繼續(xù)擴大產(chǎn)能。
濕電子化學(xué)品，又稱超凈高純試劑，要求超凈和高純，為濕法工藝（包括濕法刻蝕、清洗）制程中使用的各種液體化工材料，主要應(yīng)用在半導(dǎo)體、平板顯示、太陽能光伏領(lǐng)域等微電子、光電子器件制造領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品存在較高的技術(shù)壁壘和市場壁壘。國際上G1到G4級濕電子化學(xué)品的技術(shù)已趨于成熟，國內(nèi)企業(yè)大都能夠達(dá)到G2級，少數(shù)企業(yè)達(dá)到G3和G4級。國內(nèi)企業(yè)中，晶瑞股份超高純凈雙氧水和超純氨水已達(dá)G5標(biāo)準(zhǔn)，其他產(chǎn)品均達(dá)到G3或G4標(biāo)準(zhǔn)，上海新陽市的超純電鍍液及添加劑實現(xiàn)在90-28nm制程上的應(yīng)用，江微化IPO項目落地后將具備G4/G5級產(chǎn)品生產(chǎn)能力。
2019年我國濕電子化學(xué)品市場規(guī)模約達(dá)94.17億元，同比增長7.15%；2020年我國濕電子化學(xué)品市場規(guī)模達(dá)到100.62億元左右，同比增長6.85%。
CMP拋光材料是應(yīng)用于CMP工藝中的拋光材料，而CMP工藝是在半導(dǎo)體工業(yè)中使器件在各階段實現(xiàn)全局平坦化的關(guān)鍵步驟。其原理是在一定壓力和拋光液環(huán)境下，被拋光工件相對于拋光墊做相對運動，通過拋光液中固體粒子的研磨作用和氧化劑的腐蝕作用，使工件形成平坦光潔的表面。CMP拋光材料市場占半導(dǎo)體材料7%。CMP是實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，核心材料主要為拋光液和拋光墊。全球拋光液和拋光墊市場被美、日企業(yè)壟斷，國內(nèi)拋光墊主要廠商為鼎龍股份，拋光液龍頭安集科技國內(nèi)市場占比22%。
光刻膠
光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是微電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工核心上游材料，電子化學(xué)品的高端材料之一。光刻膠品種多樣分為紫外全譜（300~450nm、g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）、電子束，在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用很廣。光刻膠存在極高的技術(shù)壁壘和市場壁壘，國產(chǎn)化率極低。半導(dǎo)體領(lǐng)域整體國產(chǎn)化率約為10%，其中，g線、i線、KrF光刻膠約10%，ArF光刻膠全部進(jìn)口。平板顯示領(lǐng)域整體國產(chǎn)化率約10%，其中，觸摸屏光刻膠約35%，彩色和黑色光刻膠、TFT光刻膠幾乎全部進(jìn)口。
目前低端PCB光刻膠國產(chǎn)替代最快，高端半導(dǎo)體光刻膠處于方興未艾的階段，上海新陽KrF厚膜、ArF干法光刻膠研發(fā)到達(dá)中試階段，晶瑞股份完成KrF（248nm深紫外）光刻膠中試，南大光電研制的ArF(193nm)光刻膠樣品處于客戶測試階段。電子特種氣體
電子氣體作為集成電路、平面顯示器件、化合物半導(dǎo)體器件、太陽能電池、光纖等電子工業(yè)生產(chǎn)中不可缺少的基礎(chǔ)和支撐性材料之一，被廣泛應(yīng)用于薄膜、蝕刻、摻雜、氣相沉積、擴散等工藝。隨著集成電路制造技術(shù)的快速發(fā)展，芯片尺寸不斷增大，工藝不斷提高，特征尺寸線寬不斷減小，要求IC制程用的各種電子氣體純度、特定技術(shù)指標(biāo)不斷提高，對關(guān)鍵雜質(zhì)的要求更為苛刻。
2020年，中國電子氣體市場規(guī)模約為176.6億元，進(jìn)口替代趨勢明顯，逐步向高端演進(jìn)，預(yù)計未來3年增速超過14%。電子氣體以純度為核心指標(biāo)，國內(nèi)企業(yè)普遍做到5-6N，林德和法液空等海外領(lǐng)先企業(yè)技術(shù)可達(dá)6-9N。國內(nèi)以華特氣體、金宏氣體和七一八所（非上市）為首，華特已具備清洗氣、刻蝕氣和摻雜氣等技術(shù)，目前仍在繼續(xù)擴大產(chǎn)能。濕電子化學(xué)品
濕電子化學(xué)品，又稱超凈高純試劑，要求超凈和高純，為濕法工藝（包括濕法刻蝕、清洗）制程中使用的各種液體化工材料，主要應(yīng)用在半導(dǎo)體、平板顯示、太陽能光伏領(lǐng)域等微電子、光電子器件制造領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品存在較高的技術(shù)壁壘和市場壁壘。國際上G1到G4級濕電子化學(xué)品的技術(shù)已趨于成熟，國內(nèi)企業(yè)大都能夠達(dá)到G2級，少數(shù)企業(yè)達(dá)到G3和G4級。國內(nèi)企業(yè)中，晶瑞股份超高純凈雙氧水和超純氨水已達(dá)G5標(biāo)準(zhǔn)，其他產(chǎn)品均達(dá)到G3或G4標(biāo)準(zhǔn)，上海新陽市的超純電鍍液及添加劑實現(xiàn)在90-28nm制程上的應(yīng)用，江微化IPO項目落地后將具備G4/G5級產(chǎn)品生產(chǎn)能力。
2019年我國濕電子化學(xué)品市場規(guī)模約達(dá)94.17億元，同比增長7.15%；2020年我國濕電子化學(xué)品市場規(guī)模達(dá)到100.62億元左右，同比增長6.85%。CMP拋光材料
CMP拋光材料是應(yīng)用于CMP工藝中的拋光材料，而CMP工藝是在半導(dǎo)體工業(yè)中使器件在各階段實現(xiàn)全局平坦化的關(guān)鍵步驟。其原理是在一定壓力和拋光液環(huán)境下，被拋光工件相對于拋光墊做相對運動，通過拋光液中固體粒子的研磨作用和氧化劑的腐蝕作用，使工件形成平坦光潔的表面。CMP拋光材料市場占半導(dǎo)體材料7%。CMP是實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，核心材料主要為拋光液和拋光墊。全球拋光液和拋光墊市場被美、日企業(yè)壟斷，國內(nèi)拋光墊主要廠商為鼎龍股份，拋光液龍頭安集科技國內(nèi)市場占比22%。
