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20天內(nèi)73條詢問,半導(dǎo)體新材料撩動(dòng)市場神經(jīng)

作者:第一財(cái)經(jīng) 來源: 今日頭條專欄 49812/20

“立方砷化硼”、“氧化鎵”等新型半導(dǎo)體制造材料正在進(jìn)入投資者視野。自7月27日以來,在上海證券交易所和深圳證券交易所的互動(dòng)平臺(tái)上分別以“立方砷化硼”、“氧化鎵”為關(guān)鍵詞搜索問答記錄,記者分別得到8條和65條結(jié)果,均與公司業(yè)務(wù)范圍相關(guān)。上月底

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“立方砷化硼”、“氧化鎵”等新型半導(dǎo)體制造材料正在進(jìn)入投資者視野。自7月27日以來,在上海證券交易所和深圳證券交易所的互動(dòng)平臺(tái)上分別以“立方砷化硼”、“氧化鎵”為關(guān)鍵詞搜索問答記錄,記者分別得到8條和65條結(jié)果,均與公司業(yè)務(wù)范圍相關(guān)。

上月底,麻省理工休斯頓大學(xué)和其他機(jī)構(gòu)的科學(xué)家宣布他們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了“迄今為止能發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料”——立方砷化硼,隨后網(wǎng)絡(luò)上便出現(xiàn)了咨詢“砷化硼概念股”的問答。

網(wǎng)上也流傳出了“砷化硼概念股”的上市企業(yè)名單,包括聚燦光電,中金黃金,湖南黃金,三安光電,乾照光電、金貴銀業(yè),正帆科技等公司,并試圖將其與“立方砷化硼”的概念掛鉤。

第一財(cái)經(jīng)記者梳理后發(fā)現(xiàn),排除湖南黃金、金貴銀業(yè)等以貴金屬開采、冶煉、化工合成為業(yè)務(wù)的企業(yè)后,剩余的光電公司與“砷化硼”或“立方砷化硼”的關(guān)系并不大。

目前,乾照光電、鹽湖股份、四方達(dá)等多家上市公司已紛紛在公開平臺(tái)回應(yīng)投資者和咨詢者,表示不生產(chǎn)“立方砷化硼”相關(guān)材料。最“貼近”的是三超新材8月1日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司沒有立方砷化硼業(yè)務(wù),公司有部分砂輪用立方氮化硼為原材料。

立方砷化硼是什么

硅片目前仍舊是市場上應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體材料,SEMI 數(shù)據(jù)顯示,硅片在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域所占的市場份額占比達(dá) 32.9%,排名第一。然而硅元素作為半導(dǎo)體材料具有兩方面不足:

不太善于傳導(dǎo)熱量以及不具備足夠好的空穴遷移率,這成為制約半導(dǎo)體性能至關(guān)重要的因素。

科學(xué)界認(rèn)為,立方砷化硼在理論上同時(shí)具有比硅更好的導(dǎo)熱性以及更高的雙極性遷移率。7月,國家納米科學(xué)中心研究員劉新風(fēng)研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合美國休斯敦大學(xué)在《科學(xué)》上發(fā)表論文,首次在半導(dǎo)體砷化硼中檢測到其電子空穴約化遷移率約1550 cm2/Vs。通過查閱論文,記者了解到,目前應(yīng)用在芯片中的應(yīng)變硅電子的空穴約化遷移率最高僅可達(dá)830 cm2/Vs。

據(jù)國家納米科學(xué)中心副研究員岳帥介紹,空穴約化遷移率決定了半導(dǎo)體材料的邏輯運(yùn)算速度,遷移率越高則運(yùn)算速度越快。

另外,在導(dǎo)熱性方面,銅的熱導(dǎo)率400W/mK,目前已廣泛應(yīng)用于芯片制造的碳化硅的導(dǎo)熱率為500W/mK,而根據(jù)劉新風(fēng)的介紹,目前學(xué)界預(yù)測砷化硼的熱導(dǎo)率可以媲美金剛石,達(dá)到2000W/mK。

然而,據(jù)麻省理工學(xué)院稱,目前立方砷化硼并無法大批量生產(chǎn),對于該物質(zhì),目前尚需要研究人員借助特殊設(shè)備來研究其特性。

第四代半導(dǎo)體材料引關(guān)注

當(dāng)然,立方砷化硼并不是撥動(dòng)市場神經(jīng)的唯一新材料。

美國時(shí)間8月12日,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)在《聯(lián)邦公報(bào)》中披露了一項(xiàng)新增的出口限制臨時(shí)最終規(guī)則,限制以金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料等產(chǎn)品的出口。隨后,網(wǎng)絡(luò)上便頻現(xiàn)關(guān)于“第四代半導(dǎo)體材料”的討論。

目前,從能帶角度通常可以將半導(dǎo)體材料劃分為三代:第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺等元素半導(dǎo)體材料為代表;第二代以砷化鎵和磷化銦(InP)為代表;第三代是指Ⅲ族氮化物(如氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)等)、碳化硅(SiC)、氧化物半導(dǎo)體(如氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(Ga2O3)、鈣鈦礦(CaTiO3等)和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料。而目前網(wǎng)絡(luò)上炒動(dòng)的所謂“第四代半導(dǎo)體材料”便是美國近期限制出口的金剛石和氧化鎵。

市場方面,8月15日氧化鎵概念股新湖中寶開盤“一字”漲停,截至17日收盤,新湖中寶股價(jià)為2.8元,相較于8月9日開盤價(jià)2.56元,上漲約9.3%。

據(jù)了解,該公司持有杭州富加鎵業(yè)科技有限公司22%股權(quán),富加鎵業(yè)依托于中科院上海光機(jī)所,研究新型半導(dǎo)體材料--氧化鎵(Ga2O3),目前的信息顯示基于β氧化鎵的晶體制備及其功率器件開發(fā)已取得一定進(jìn)展。此外,該公司還參股上海鉆石交易所,持股比例5%。

此外,金剛石概念股晶盛機(jī)電8月15日開盤時(shí)也曾一度漲停,最大漲幅達(dá)到12.38%,最新總市值為995.26億元。截至8月17日收盤,晶盛機(jī)電股價(jià)為76.1元,相較于9日開盤價(jià)70元,上漲約8.7%。該公司于今年3月初曾表示,公司全自動(dòng)金剛石生長爐研發(fā)成功。

據(jù)了解,對于氧化鎵原件的開發(fā)可以追溯到2012年,日本國家信息與通信技術(shù)研究所(NICT)發(fā)表了首個(gè)單晶β-氧化鎵晶體管。而到了2014年,氧化鎵材料迎來量產(chǎn)。

我國氧化鎵的研究目前主要集中于科研領(lǐng)域。今年我國科技部將氧化鎵列入“十四五重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃”,這讓該物質(zhì)獲得了更為廣泛的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)化方面,國內(nèi)目前剛剛起步,北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、北京銘鎵半導(dǎo)體、深圳進(jìn)化半導(dǎo)體中電46所等企業(yè)紛紛涌入氧化鎵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域。

此外,新湖中寶、三安光電、藍(lán)曉科技、中國西電、上海瀚訊、隆基綠能、南大光電等也正在布局如金屬鎵提取、氧化鎵晶體生長、寬禁帶半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)相關(guān)上下游的領(lǐng)域。

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